Zariadenie na kompozitné vákuové nanášanie PVD

Zariadenie na kompozitné vákuové nanášanie PVD

Podrobnosti
Táto priemyselná platforma PVD kompozitného vákuového nanášania integruje viaceré techniky nanášania do prostredia jednej komory na nanášanie rovnomerných, viacvrstvových{0}vrstvových kovových, zliatinových alebo dielektrických tenkých vrstiev. Štandardné architektúry umožňujú dávkové spracovanie pre substráty až do 400 mm x 400 mm, pričom sú k dispozícii vlastné geometrie komôr pre manipuláciu s rolkami-na-alebo 3D manipuláciu s komponentmi.
Klasifikácia výrobku
Vybavenie PVD kompozitného tenkého filmu
 
Zaslať požiadavku
Popis
Technické parametre

Táto priemyselná platforma PVD kompozitného vákuového nanášania integruje viaceré techniky nanášania do prostredia jednej komory na nanášanie rovnomerných, viacvrstvových{0}vrstvových kovových, zliatinových alebo dielektrických tenkých vrstiev. Štandardné architektúry umožňujú dávkové spracovanie pre substráty až do 400 mm x 400 mm, pričom sú k dispozícii vlastné geometrie komôr pre manipuláciu s rolkami-na-alebo 3D manipuláciu s komponentmi.

 

Technické špecifikácie

 

Parameter

Špecifikácia Štandard

Voliteľný upgrade / vlastný rozsah

Konečný základný tlak

< 5.0 x 10^-5 Pa

< 1.0 x 10^-6 Pa (Cryopump configuration)

Pump{0}}Čas výpadku

< 15 min (To 1.0 x 10^-3 Pa)

Až 8 minút s turbo-molekulárnou integráciou

Komorový materiál

304L nehrdzavejúca oceľ (elektricky leštená-)

316L nehrdzavejúca oceľ / vnútorné ochranné vložky

Veľkosť prípravku substrátu

Plochý nosič 300 mm x 300 mm

Až do priemeru 600 mm alebo vlastné planétové pohony

Jednotnosť filmu

+/- 3 % na štandardnej ploche substrátu

+/- 1.5 % s optimalizovaným maskovaním a rotáciou substrátu

Depozičné zdroje

2 x Tepelné odparovanie + 2 x Magnetrónové naprašovanie

Až 6 zmiešaných{1}}konfigurácií zdrojov (RF/DC/Tepelné)

Napájanie

jednosmerný prúd: 5 kW; RF: 13,56 MHz, 3 kW

Pulzné generátory jednosmerného prúdu a stred{0}}frekvencie (MF).

 

Kľúčové vlastnosti


Integrácia viacerých-zdrojov:Kombinuje tepelné odparovanie a magnetrónové naprašovanie v jedinom cykle odčerpania{0}}dole, čím zabraňuje oxidácii rozhrania a skracuje čas manipulácie.


Uzavreté{0}}ovládanie hrúbky slučky:Priame rozhranie so snímačmi mikrováhy z kremenných kryštálov (QCM) a optickými monitorovacími systémami na riadenie rýchlosti nanášania v reálnom čase.


Modulárna komorová architektúra:Prírubové porty umožňujú rýchle dovybavenie dodatočných zdrojov odparovania alebo iónových pištolí bez opätovného{0}}opracovania tela hlavnej komory.


Možnosť ovplyvnenia substrátu:RF/DC predpätie napájacie zdroje poskytujú čistenie iónovým bombardovaním pred nanášaním, čím zvyšujú priľnavosť filmu na náročných kovových a keramických substrátoch.


Automatizované sekvenovanie procesov:Správa receptov riadená PLC- riadi uzatváracie ventily, regulátory hmotnostného prietoku (MFC), zvyšovanie výkonu a ovládanie uzávierky, aby sa eliminovali odchýlky-spôsobené operátorom.

 

Konfigurácia vákuového systému


Vákuový subsystém je štruktúrovaný tak, aby minimalizoval časy cyklov a zvládal odplyňovanie z rôznych zdrojových materiálov:


Hrubovacie a koreňové čerpadlá:Suché skrutkové čerpadlá eliminujú{0}}riziká spätného toku oleja a spĺňajú požiadavky ISO triedy 4 pre čisté priestory.


Vysoké-vákuové čerpadlá: Combination of magnetically levitated turbo-molecular pumps (slot speed >= 1600 l/s) a voliteľné kryopumpy pre vysokú kapacitu čerpania vodnej-pary.


Monitorovanie tlaku:Dvojrozsahová konfigurácia meradiel (Pirani meradlá pre hrubovanie; ionizačné/Penningové meradlá pre vysoké vákuum) prepojené s bezpečnostnými ventilmi, aby sa zabránilo atmosferickej kontaminácii vlákien.


Detekcia úniku:Únik hélia-skontrolovaný na prahovú hodnotu < 1,0 x 10^-9 Pa·m^3/s pred schválením z výroby.

 

Odparovacie materiály a kompatibilita substrátu


Materiály na odparovanie:
Kovy:
Al, Cu, Ti, Cr, Ni, Au, Ag, Pt.


Zliatiny:NiCr, TiAl, nerezové terče.


Dielektrika / oxidy:SiO2, TiO2, Al2O3, ITO (prostredníctvom reaktívneho naprašovania alebo integrácie elektrónového lúča).


Kompatibilita substrátu:
Polovodičové doštičky:
Kremík, GaAs do 300 mm.


Optické substráty:Optické sklo, kremenné a zafírové šošovky.


Technické plasty:PI, PET, PC prostredníctvom-manažmentu nízkej teploty.


Kovové substráty:Kovové fólie a lisované kovové komponenty.

 

Aplikácie


Optoelektronika:Nanášanie transparentných vodivých oxidov (ITO) a anti-viacnásobných{1}}reflexných vrstiev pre dotykové panely a okná senzorov.


Výkonová elektronika:Vytváranie nízkoodporových ohmických kontaktov a bariérových vrstiev na kremíkových a širokopásmových polovodičových substrátoch.


Funkčné nátery:Dekoratívne kovové povlaky-odolné voči opotrebovaniu na priemyselných spojovacích materiáloch, lekárskych implantátoch a spotrebnom hardvéri.

 

Možnosti prispôsobenia


Konfigurácie zariadení sú prispôsobené špecifickým výrobným obmedzeniam:


Veľkosť komory:Škálované od R&D stolových jednotiek (400 mm kocka) po veľkokapacitné{1}}výrobné systémy (1200 mm valcové/skriňové komory).


Načítať{0}}Zamknúť integráciu:Jedno{0}}manuálne nakladanie s jedným koncom alebo konfigurácia s dvojkomorovým nakladacím-zámkom na udržanie vysokej integrity vákua v hlavnej zóne nanášania počas nepretržitých cyklov nakladania.


Tepelný manažment:Vodou{0}}chladené, vyhrievané podložky (až do 600 stupňov) alebo kryogénne chladiace stoly substrátu.


Ovládacie rozhranie:Integrácia s výrobnými sieťami SCADA alebo MES cez protokoly SECS/GEM alebo Modbus TCP.

 

Kontrola kvality a výrobné testovanie


Každá jednotka sa pred odoslaním podrobuje prísnej kontrole:


Test integrity vákua:48-hodinový kontinuálny audit detekcie úniku héliového hmotnostného spektrometra.


Test elektrickej bezpečnosti:Testovanie izolačného odporu, dielektrickej odolnosti a kontinuity uzemnenia v súlade s bezpečnostnými smernicami CE/UL.


Funkčný chod nasucho:72-hodinové nepretržité automatické cyklovanie všetkých mechanických uzáverov, regulátorov hmotnostného prietoku a generátorov energie.


Spustenie procesu prijatia:Továrenský akceptačný test (FAT) vykonaný s použitím cieľových materiálov{0}} určených zákazníkom na overenie stability rýchlosti nanášania a rovnomernosti hrúbky.

 

Inštalácia a technická podpora


Balík dokumentácie:Kompletné inžinierske výstupy vrátane P&ID diagramov, elektrických schém, architektúry zdrojovej logiky PLC a používateľských príručiek na údržbu.


Uvedenie do prevádzky na-stránke:Servisní inžinieri v teréne dohliadajú na vybavenie, zapojenie do čistých priestorov, overovanie siete (chladiaca voda, CDA, napájanie) a testovanie akceptácie miesta (SAT).


Školenie operátora:Štruktúrované praktické{0}}školenia týkajúce sa bežnej údržby, odstraňovania problémov s vákuom a úpravy receptov pre procesných inžinierov.


Dostupnosť náhradných dielov:Kritické komponenty (súpravy tesnení, tieniace vložky, vlákna, QCM kryštály) skladované na priame odoslanie.

 

Často kladené otázky

 

Otázka: Aká je maximálna teplota substrátu dosiahnutá počas štandardného cyklu nanášania?

Odpoveď: Bez aktívneho chladenia alebo zahrievania substrátu žiarenie zo zdrojov tepelného odparovania zvyčajne zvyšuje teplotu substrátu o 30 až 50 stupňov. Vodou chladené držiaky substrátu sú k dispozícii na udržanie teploty substrátu pod 40 stupňov v prípade polymérnych filmov citlivých na teplotu-.

Otázka: Môže systém prepínať medzi reaktívnym naprašovaním a tepelným odparovaním v rámci toho istého cyklu?

A: Áno. Správca receptov PLC koordinuje vstrekovanie plynu prostredníctvom regulátorov hmotnostného prietoku (napr. O2 alebo N2 pre reaktívne procesy) spolu s aktiváciou napájania pre rozprašovacie katódy a zvyšovaním prúdu pre termálne člny, čo umožňuje viacvrstvové stohovanie bez narušenia vákua.

Otázka: Aké úžitkové požiadavky sú potrebné pre štandardné konfigurácie komory?

A: Standard requirements include 3-phase 380V/480V AC (+/- 10%), 50/60Hz; clean dry air (CDA) at 0.5 to 0.7 MPa for pneumatic valves; chilled cooling water supply (>= 30 l/min pri 15 až 20 stupňoch); a miestne odsávacie odvetrávanie pre výfuky podporných čerpadiel.

Otázka: Ako sa riadi krížová{0}}kontaminácia medzi rôznymi zdrojmi vyparovania?

Odpoveď: Každá pozícia zdroja obsahuje samostatné pneumatické uzávery a fyzické vnútorné tienenie. Rozostup medzi zdrojmi a smerové tienenie zabraňujú krížovému toku materiálu- na susedné zdroje počas spoločného-odparovania alebo sekvenčných cyklov viacerých{4}}materiálov.

 

Populárne Tagy: pvd kompozitné vákuové nanášacie zariadenia, Čína výrobcovia pvd kompozitných vákuových nanášacích zariadení, dodávatelia, továreň

Zaslať požiadavku
Kontaktujte násak máte nejakú otázku

Môžete nás kontaktovať telefonicky, e-mailom alebo online formulárom nižšie. Náš špecialista vás bude čoskoro kontaktovať.

Kontaktujte teraz!