PVD viac{0}}procesné zariadenie na tenké filmy

Zariadenie PVD Multi{0}}Process Thin Film Equipment je integrovaná platforma na nanášanie pomocou vákua navrhnutá tak, aby spájala viacero techník výroby tenkých -fólií- vrátane RF/DC magnetrónového naprašovania, tepelného odparovania a odparovania elektrónovým lúčom-v rámci jednotnej vákuovej architektúry.

Tento systém eliminuje kontamináciu vákuovým prerušením medzi jednotlivými procesnými vrstvami, čo umožňuje nanášanie zložitých viacvrstvových{0}}vrstvových kovových, dielektrických a polovodičových filmov bez vystavenia okolitému prostrediu. Je nakonfigurovaný pre laboratórne výskumno-vývojové zoskupenia alebo pilotnú-linkovú výrobu a pojme substráty až do priemeru 300 mm alebo prispôsobené nosiče.

Modulárna vákuová architektúra:Nezávislé procesné komory spojené pomocou uzatváracích ventilov zabraňujú krížovej{0}}kontaminácii medzi reaktívnym naprašovaním a vysokým-vákuovým odparovaním.

{0}Vákuový prenos substrátu:Magnetické alebo lineárne prenosové ramená udržujú vysoké vákuum (< 10^-4 Pa) during inter-chamber sample movement.

Rýchla{0}}zmena zdrojových prírub:Rozprašovacie katódy a elektrónkové tégliky -sú namontované na štandardných CF prírubách pre rýchlu údržbu a výmenu terča.

Pokročilé kryogénne zachytávanie:Integrované vymrazovače tekutého dusíka a Meissnerove odlučovače minimalizujú zvyškový tlak vodnej pary vo vnútri komory.

Uzavreté{0}}Monitorovanie hrúbky slučky:Dvojité snímače mikrováhy z kremenných kryštálov (QCM) poskytujú-reálny čas nanášania a spätnú väzbu hrúbky priamo spojenú s reguláciou napájania.

Fáza hrubovania:Bezolejové-špirálové čerpadlá spárované s viac{1}}stupňovými koreňovými dúchadlami, aby sa eliminovalo spätné prúdenie uhľovodíkov-.

Stupeň vysokého vákua:Backed by magnetically levitated turbo-molecular pumps (>1200 l/s pre N2) a voliteľné kryopumpy pre vysoký prietok vodnej-pary.

Regulácia tlaku:Kapacitné manometre Baratron na meranie absolútneho tlaku nezávislé od druhu plynu, spárované s automatickými škrtiacimi ventilmi na presné riadenie tlaku procesného plynu (0,1 Pa až 10 Pa).

Detekcia úniku:Únik hélia-skúšaný na < 1 x 10^-9 Pa*m^3/s pred akceptačným testom z výroby (FAT).

Vodivé ciele:Au, Ag, Cu, Al, Ti, Cr, ITO, AZO, Mo, W, NiCr.

Dielektrické materiály:SiO2, TiO2, Al2O3, Ta2O5, HfO2 (prostredníctvom reaktívneho naprašovania alebo e-lúča).

Typy substrátov:
Polovodičové doštičky (kremík, arzenid gália, fosfid india).

Optické polotovary (tavený oxid kremičitý, BK7, zafír).

Pružné pásy a tenké plechy (polyimid, fólia z nehrdzavejúcej ocele).

Optoelektronika:Nanášanie vrstiev priehľadných vodivých oxidov (TCO) a anti{0}}reflexných (AR) optických filtrov.

Výroba polovodičového zariadenia:Vytváranie ohmických kontaktov, Schottkyho bariér, zárodočných vrstiev pre galvanické pokovovanie a difúznych bariér (Ti/TiN).

Výroba snímača:Tenkovrstvové kovové tenzometre, mikro-ohrievacie prvky a piezoelektrické meniče.

Pokročilý výskum a vývoj:Prieskumná viac{0}}syntéza tenkých vrstiev-vrstvy pre kvantové počítačové komponenty a nové materiály na ukladanie energie.

Geometria komory:Rozmery rozširovacej komory pre ne-štandardné alebo nadrozmerné dávkové substráty.

Integrácia zdroja:Vlastné alokačné pomery medzi magnetrónovými naprašovacími pištoľami a vreckami na odparovanie elektrónového lúča.

Bias Sputtering:Možnosti RF/DC predpätia substrátu pre zhusťovanie filmu a kontrolu napätia.

Načítať{0}}Zamknúť integráciu:Pridanie automatických nakladacích-uzamykacích komôr na udržanie vysokej integrity vákua počas vysoko{1}}výkonných cyklov nakladania.

Vysledovateľnosť materiálu:Certifikáty o skúške mlynov (MTC) poskytnuté pre všetky vákuové-súčiastky z nehrdzavejúcej ocele a konštrukčné rámy.

Montáž čistých priestorov:Finálna integrácia a overenie{0}}počtu častíc sa vykonáva v prostredí čistých priestorov ISO triedy 6.

Továrenské akceptačné testovanie (FAT):72-hodinový kontinuálny test vákuového vypaľovania, testovanie tesnosti pomocou hmotnostnej spektrometrie analyzátora zvyškového plynu (RGA) a nanášanie základného filmu na overenie rovnomernosti hrúbky.

Sprievodca prípravou miesta:Comprehensive utility mapping provided pre-shipment, detailing chilled water flow rates (>15 l/min), stlačený vzduch, vedenie procesného plynu (Ar, O2, N2 s čistotou 99,999 %) a požiadavky na elektrické zaťaženie (3-fázové 380 V/480 V).

Uvedenie do prevádzky:Inštaláciu na mieste, vákuovú kalibráciu a spoločné testovanie-na mieste vykonávajú servisní technici v továrni.

Školenie operátora:Štruktúrované 5-dňové školenie na mieste zahŕňajúce rutinnú údržbu, bezpečnostné protokoly vákua, programovanie receptov a základné riešenie problémov.