Iónový-asistovaný vákuový odparovací systém integruje vysoko{1}}vákuové tepelné alebo elektrónové{2}}vyparovacie zdroje s iónovým zdrojom Kaufman-alebo End{4}}Hallovho typu. Bombardovaním rastúceho filmu ionizovaným plynom (Ar alebo O2) počas fyzikálnej depozície z pár (PVD) systém prenáša kinetickú energiu na adatómy, čím potláča stĺpcovú mikroštruktúru a zabraňuje absorpcii vlhkosti v optických a dielektrických tenkých vrstvách.
Systém bol vytvorený pre integráciu v čistých priestoroch a nepretržitú viac{0}}smennú výrobu. Systém sa rozširuje od výskumných a vývojových stôp (300 mm komory) až po vysoko{2}}výkonné priemyselné linky (900 mm dvojdverové-konfigurácie a konfigurácie s planétovou rotáciou).
Technické špecifikácie
|
Kategória parametra |
Technická špecifikácia |
|
Rozmery komory |
600 mm x 600 mm x 600 mm (prispôsobiteľné až do 1200 mm) |
|
Komorový materiál |
Nerezová oceľ 304L, vnútorné povrchy elektrolyticky leštené na Ra < 0,2 um |
|
Základný tlak |
<= 5.0 x 10^-5 Pa (Achieved within 45 minutes from atmosphere) |
|
Konečný tlak |
<= 8.0 x 10^-6 Pa |
|
Zdroje odparovania |
Viac{0}}vrecková E-lúčová pištoľ (6 x 15 cm3 / 4 x 40 cm3) a odporové tepelné zdroje |
|
Zdroj iónov |
Koniec-Hall / Bezmriežkový iónový zdroj (napätie lúča: 50-300 V, iónový prúd: 0-500 mA) |
|
Upevnenie substrátu |
Planetárny rotačný mechanizmus (0-20 RPM) s voliteľným ohrevom (RT až 350 °C) |
|
Kontrola hrúbky filmu |
Mikrováhy z kremenného kryštálu (QCM) s duálnou senzorovou hlavou a PID{0}}regulátorom uzavretej slučky |
Kľúčové vlastnosti
Blízka-hustota:Zvýšená pohyblivosť povrchu adatomu eliminuje viditeľnú pórovitosť filmu a maximalizuje mechanickú tvrdosť.
Ladenie vnútorného stresu:Nastaviteľná energia iónového lúča neutralizuje mechanické napätie a zabraňuje delaminácii na hrubých dielektrických vrstvách.
Spracovanie s nízkym-tepelným{1}}rozpočtom:Zahusťovanie-poháňané hybnosťou umožňuje vysoko-náter na polymérové substráty citlivé na teplotu- bez tepelnej deformácie.
Automatizácia receptov:PLC-riadené vákuové blokovania a{1}}sekvenovanie pumpovania riadené pomocou priemyselného dotykového{2}}panela HMI so záznamom údajov.
Konfigurácia vákuového systému
Fáza hrubovania:Dvojstupňové{0}}lopatkové mechanické čerpadlo v spojení s koreňovým dúchadlom (rýchlosť 150 l/s) pre rýchly prechod.
Stupeň vysokého vákua:Magneticky levitované turbomolekulárne čerpadlo (1 600 l/s) podporované bezolejovým -suchým špirálovým čerpadlom na elimináciu spätného prúdu uhľovodíkov.
Kryogénna možnosť:Integrácia vymrazovača kvapalného dusíka a kryopumpy pre nízky parciálny tlak vodnej{0}}pary.
Meranie vákua:Krížovo{0}}kalibrované meradlá Pirani a Cold Cathode pre spätnú väzbu-v reálnom čase od atmosféry až po 10^-7 Pa.
Odparovacie materiály a kompatibilita substrátu
Odparovacie materiály
Oxidy:Si02, Ti02, Ta205, Nb205, Al2O3
Fluoridy:MgF2, LaF3
Kovy:Al, Ag, Au, Ti, Cr
Kompatibilita substrátu
Optické substráty:Okná z taveného oxidu kremičitého, N-BK7, kremíka, germánia a selenidu zinku.
Polovodičové doštičky:100 mm až 300 mm kremíkové a zložené polovodičové doštičky.
Polyméry:PET, PI (polyimid) a PMMA filmy s použitím parametrov IAD pri nízkych{0}}teplotách.
Aplikácie
Presná optika:Anti{0}}reflexné (AR) vrstvy, laserové zrkadlá a úzke pásmové filtre vyžadujúce odolnosť proti vlhkosti.
Mikroelektronika:Kovové hradlové elektródy, adhézne vrstvy a pasivačné bariéry v polovodičových obaloch.
Optoelektronika:Kontakty z priehľadného vodivého oxidu (TCO) a bariérové zapuzdrené vrstvy OLED-.
Možnosti prispôsobenia
Geometria komory:Obdĺžnikové alebo valcové konštrukcie prispôsobené obmedzeniam stien čistých priestorov.
Integrácia viacerých-zdrojov:Spolu{0}}odparovacie zostavy s možnosťou umiestnenia až troch E-lúčových kanónov a štyroch termálnych člnov.
In{0}}metrologické porty:Prírubové integračné porty pre spektroskopické elipsometre alebo optické monitorovacie systémy.
Úroveň automatizácie:Polo{0}}automatická výskumná zostava alebo plne automatizovaná manipulácia{1}}na{2}}kazetu.
Protokoly kontroly kvality a testovania
Detekcia úniku:Testovanie héliovým hmotnostným spektrometrom na každej komore s prísnym prahom odmietnutia < 1 x 10^-9 Pa*m^3/s.
Overenie čistoty:Pred odoslaním sa vykonalo skenovanie analyzátora zvyškového plynu (RGA), aby sa overilo nulové množstvo organických uhľovodíkov.
Zapálenie systému-:72-hodinový nepretržitý test mechanických pohonov, chladiacich potrubí a elektrických blokovaní nasucho.
Dokumentácia:Certifikáty o skúške lisovne materiálu (MTR), elektrické schémy a správy o teste prevzatia továrne (FAT).
Inštalácia a technická podpora
Príprava miesta:Detailed facility guide covering floor loading, chilled water (>= 5 m^3/h), čistý suchý vzduch (CDA) a výfuk.
Uvedenie do prevádzky:Nasadenie terénnej služby pre mechanické vyrovnávanie, pripojenie k sieti, kalibráciu vákua a odhlásenie receptu-.
Školenie operátora:5-dňový program na mieste zahŕňajúci prevádzku, preventívnu údržbu, riešenie problémov a bezpečnostné blokovania.
Náhradné diely:Položky kritického opotrebovania (vlákna, kryštály QCM, tesnenia, turbomolekulárne ložiská) skladované regionálne.
Často kladené otázky
Otázka: Ako IAD zabraňuje posunu indexu lomu?
Odpoveď: Iónové bombardovanie vytlačí zachytené zvyškové plyny a zhutní rast filmu na takmer-objemovú hustotu. Tým sa zastaví kondenzácia okolitej vlhkosti pri atmosférickom odvetrávaní, čím sa zaistí nulový posun stredovej- vlnovej dĺžky v priebehu času.
Otázka: Aký je interval údržby pre mriežky a vlákna so zdrojom iónov?
Odpoveď: Koniec-Hallove iónové zdroje fungujú 150-200 procesných hodín v závislosti od reaktívnych plynov. Rýchloupínacie svorky umožňujú výmenu komponentov za menej ako 30 minút.
Otázka: Dokáže systém zvládnuť reaktívne procesy ako TiO2?
A: Áno. Špeciálne-presné regulátory hmotnostného toku (MFC) vstrekujú kyslík alebo dusík priamo do komory a iónového zdroja, čím zaisťujú úplnú stechiometriu a eliminujú absorpciu sub{2}}oxidov.
Populárne Tagy: iónové{0}}zariadenia na vákuové naparovanie, Čína iónové{1}}výrobcovia zariadení na vákuové naparovanie s asistenciou, dodávatelia, továreň

