Zariadenie na tenkovrstvové-odparovanie pomocou iónov

Zariadenie na tenkovrstvové-odparovanie pomocou iónov

Podrobnosti
Priemyselný{0}}systém iónového{1}}asistovaného odparovania (IAE) integrujúci viac-vreckové vyparovanie elektrónovým-lúčom so zdrojom energetického iónového lúča (konfigurácia End-Hall alebo Kaufman). Iónové bombardovanie-v reálnom čase prenáša kinetickú hybnosť na kondenzačné adatómy, potláča rast stĺpcových zŕn a posúva hustotu tenkého{7}} filmu smerom k hodnotám sypkého materiálu.
Klasifikácia výrobku
Zariadenie na tenkovrstvové-odparovanie pomocou iónov
 
Zaslať požiadavku
Popis
Technické parametre

Priemyselný{0}}systém iónového{1}}asistovaného odparovania (IAE) integrujúci viac-vreckové vyparovanie elektrónovým-lúčom so zdrojom energetického iónového lúča (konfigurácia End-Hall alebo Kaufman). Iónové bombardovanie-v reálnom čase prenáša kinetickú hybnosť na kondenzačné adatómy, potláča rast stĺpcových zŕn a posúva hustotu tenkého{7}} filmu smerom k hodnotám sypkého materiálu.


Konfigurované na dávkové spracovanie na planetárnych rotačných zariadeniach v rámci duálnej{0}}automatizácie PLC. Medzi základné aplikácie patria vysokoprahové-laserové-prahové{4}}prahové vrstvy (LIDT), optické interferenčné vrstvy, husté dielektrické zostavy filtrov a odolné ochranné nátery.

 

Technické špecifikácie a schopnosť procesu

 

Parameter

Špecifikácia a schopnosť procesu

Konečný základný tlak

<= 5.0 x 10^-5 Pa (clean, dry, empty chamber)

Pump{0}}Čas výpadku

< 15 min from atmosphere to 1.0 x 10^-3 Pa

Stavba komory

304L / 316L nehrdzavejúca oceľ; vnútorné elektrolytické leštenie (Ra<= 0.4 um)

Zdroj elektrónového lúča

6 kW / 10 kW viac-vrecká na zametanie (4 až 6 téglikov)

Typ zdroja iónov

End-Hall alebo Kaufmanov široký-lúč; Energia: 50 - 300 eV; Prúd: 0 - 1000 mA

Teplota substrátu

Okolité do 300 °C (+/- 2 °C PID uzavretá-kontrola rovnomernosti slučky)

Rovnomernosť hrúbky

<= +/- 1.0% across a 400 mm deposition zone (with planetary rotation)

Kontrola vnútorného stresu

<= +/- 50 MPa (Compressive/Tensile tunable via ion energy adjustment)

Opakovateľnosť indexu lomu

Delta n<= +/- 0.001 verified over 50 consecutive production runs

Dostupnosť systému (čas prevádzky)

>= 95% prevádzkovej dostupnosti pri nepretržitej viac{1}}zmennej výrobe

Riadiaca architektúra

Duálny-priemyselný ovládač PLC s hardvérovým bezpečnostným blokovaním a správou receptov

 

Kľúčové vlastnosti


Energetické iónové bombardovanie:Prenos hybnosti-v reálnom čase eliminuje mikrodutiny a stabilizuje indexy lomu proti spektrálnym posunom-spôsobeným vlhkosťou.


Reaktívne krvácanie plynu:Riadené vstrekovanie parciálneho tlaku O2 alebo N2 kompenzuje nedostatok kyslíka počas ukladania oxidov/nitridov a odstraňuje sub-pásy absorpcie oxidov.


Modulárny zdrojový deck:Náhrada mriežky iónového zdroja kazetového{0}}štýlu a vymeniteľné E-lúčové vrecká skracujú odvetrávanie komory-na-čas obnovy vákua na menej ako 2 hodiny.


Integrita vákua:Kovové{0}}utesnené a Viton{1}}utesnené príruby ISO/CF spárované s pneumatickými posúvačmi zabraňujú krížovej{2}}kontaminácii medzi šaržami.

 

Konfigurácia vákuového systému


Hrubovací balík:Rootsovo dúchadlo podporované rotačnými lopatkami alebo bezolejovými{0}}hermetickými špirálovými mechanickými čerpadlami.


Vysoké{0}}vákuové čerpadlo:Cryogenic pump (cryopump) or magnetically levitated turbomolecular pump (air throughput >= 2200 L/s).


Meranie tlaku:Kombinácia ionizačných meradiel Pirani a horúcej{0}}katódy na nepretržité zaznamenávanie z atmosféry do vysokého vákua.


Regulácia procesného tlaku:Kapacitný manometer s uzavretou slučkou poháňajúci automatickú škrtiacu klapku počas vstrekovania plynu.

 

Odparovacie materiály a kompatibilita substrátu


Materiály na odparovanie:
Oxidy:
Si02, Ta205, Ti02, Nb205, Hf02
Fluoridy:MgF2, LaF3
Kovy:Au, Ag, Al, Cr, Ti


Materiály podkladu:
Optické sklo (BK7, tavený oxid kremičitý, kremeň)


Polovodičové doštičky (kremík, arzenid gália)


Kryštály (LiNbO3, zafír, YAG)


Geometria príslušenstva:Vlastné planetárne rotačné klietky, kupolovité upínadlá a držiaky plochých-doštičiek navrhnuté pre špecifické objemy šarží.

 

Aplikácie a empirické dôkazy výkonnosti


Filtre laserového rušenia:Úzkopásmové a okrajové filtre vyžadujúce extinkčné pomery s hĺbkou blokovania > OD6 pri 1064 nm.


Anti{0}}reflexné (AR) vrstvy:Viac{0}}vrstvové širokopásmové AR povlaky pre-výkonné laserové okná a optiku kamier.


Predné zrkadlá:Kovové reflektory s nízkym rozptylom{0}} chránené tvrdými dielektrickými vrstvami pre letecké a obranné prístroje.


Polovodičové dielektrické vrstvy:Pasivačné a izolačné nanášanie dielektrického filmu na teplotne -citlivé substráty.

 

Prispôsobenie


Veľkosť komory:Vnútorné priemery od 700 mm do 1300 mm.


Integrácia zdroja:Nastavenie duálneho E-lúča, zdroje tepelného odporu alebo konfigurácie spoločného{1}nanášania.


Úroveň automatizácie:Poloautomatické ručné vkladanie alebo plne integrovaná robotická manipulácia so substrátom so zámkami vkladania-.


Súlad:CE, UL/CSA elektrické panely a SEMI S2/S8 bezpečnostné balíky.

 

Kontrola kvality a výrobné overenie


Detekcia úniku:Testovanie tesnosti héliom na hmotnostnom spektrometri všetkých komôr a tesnení na < 1 x 10^-10 Pa*m^3/s.


Rozmerová kontrola:Overenie CMM vnútorných montážnych prírub a optická profilometria potvrdzujúca drsnosť steny komory (Ra<= 0.4 um).


Vypáliť-Pri testovaní:72-hodinový nepretržitý suchý-test vákuových čerpadiel, vysokonapäťových napájacích zdrojov a blokovacích slučiek PLC.


Procesné akceptačné testovanie (FAT):Referenčný cyklus nanášania na overenie stability rýchlosti nanášania a cieľových indexov lomu podľa vopred-odsúhlasených kritérií.

 

Inštalácia a technická podpora


Pred-inštalácia:Dispozičné výkresy zahŕňajúce chladenú vodu, odsávacie vetranie, elektrické zaťaženie a nosnosť podlahy.


Uvedenie do prevádzky na-stránke:Poľné inžinierske vykonávanie mechanického zarovnania, kontroly netesností, zapojenie do siete a spoločné testovanie SAT.


Procesné školenie:Školenie operátora a údržby zahŕňajúce programovanie receptúr, servis iónových zdrojov a regeneráciu čerpadla.


Podpora životného cyklu:Vzdialená integrácia diagnostického rozhrania a lokalizovaná správa zásob náhradných dielov.

 

FAQ

 

Otázka: Ako iónová asistencia zabraňuje posunu optickej vlnovej dĺžky?

Odpoveď: Energetické iónové bombardovanie zhutňuje štruktúru filmu prenosom hybnosti na adatómy, čím eliminuje mikroskopické dutiny. Tým sa zabráni absorpcii atmosférickej vlhkosti, index lomu a prenosové spektrá sú stabilné.

Otázka: Aký je protokol údržby a prestoje pre zdroj iónov?

Odpoveď: Koniec bez mriežky-Halové iónové zdroje vyžadujú kontrolu vnútorných komponentov každých 200 až 300 prevádzkových hodín. Dizajn kazety-rýchlo{5}}vymeniteľný umožňuje technikom vymeniť alebo opraviť iónovú optiku a vrátiť komoru do vákua do 2 hodín.

Otázka: Môže systém integrovať QCM aj optické monitorovanie?

A: Áno. Konfigurácie duálneho{1}}monitorovania využívajú QCM na počiatočné rýchlosti základnej vrstvy a optické monitorovanie (OMS) na sledovanie extrémov prenosu/odrazu na presné ukončenie štvrť-vlnovej vrstvy.

Otázka: Aké sú hlavné úžitkové požiadavky na štandardnú 900 mm komoru?

A: 3-phase power (380V / 480V, 50/60 Hz), chilled cooling water (~ 15 to 20 deg C at 4 - 6 bar), compressed air (>= 0.6 MPa) a procesné plyny s čistotou 99,999 % (Ar, O2) regulované na 0.2 - 0.3 MPa.

 

Populárne Tagy: iónové -zariadenia na asistované odparovanie tenkých vrstiev, Čína iónové{1}}výrobcovia zariadení na asistované odparovanie tenkých vrstiev, dodávatelia, továreň, tenké filmové vybavenie pre aplikácie výroby zariadení umelej inteligencie

Zaslať požiadavku
Kontaktujte násak máte nejakú otázku

Môžete nás kontaktovať telefonicky, e-mailom alebo online formulárom nižšie. Náš špecialista vás bude čoskoro kontaktovať.

Kontaktujte teraz!