Zariadenie na odparovanie s pomocou iónového lúča

Zariadenie na odparovanie s pomocou iónového lúča

Podrobnosti
Systém IBAE kombinuje elektrónový-lúč alebo tepelné vyparovanie s integrovaným široko{1}}lúčovým iónovým zdrojom. Simultánne bombardovanie iónmi počas rastu filmu prenáša kinetickú energiu na kondenzačné adatómy, eliminuje stĺpcové mikroštruktúry a vytvára tenké filmy s takmer -objemovou-hustotou s minimálnym spektrálnym posunom vyvolaným vlhkosťou-.
Klasifikácia výrobku
Zariadenie na tenkovrstvové-odparovanie pomocou iónov
 
Zaslať požiadavku
Popis
Technické parametre

Systém IBAE kombinuje elektrónový-lúč alebo tepelné vyparovanie s integrovaným široko{1}}lúčovým iónovým zdrojom. Simultánne bombardovanie iónmi počas rastu filmu prenáša kinetickú energiu na kondenzačné adatómy, eliminuje stĺpcové mikroštruktúry a vytvára tenké filmy s takmer -objemovou-hustotou s minimálnym spektrálnym posunom vyvolaným vlhkosťou-.

 

Technické špecifikácie

 

Parameter

Špecifikácia

Základný tlak

<= 5.0 x 10^(-5) Pa (achieved within 35 minutes)

Pracovný tlak

1,0 x 10^(-1) až 1,0 x 10^(-2) Pa

Typ zdroja iónov

Gridless End-Hala / Kaufmannov iónový zdroj

Energia iónového lúča

50 eV až 1500 eV (uzavretá-slučka stabilizovaná)

Hustota prúdu iónového lúča

0 až 2,5 mA/cm^2

Zdroje odparovania

Viac-vreckové E-lúčové pištole (4 x 15 ccm až 6 x 40 ccm) / Odporové člny

Držiak substrátu

Planétové rotačné zariadenie s ohrevom až do 300 ° C

Rovnomernosť hrúbky

<= plus/minus 0.5 percent over 400 mm diameter

Kontrolný systém

Siemens S7-1500 PLC + priemyselné PC (Inficon deposition controller)

 

Kľúčové vlastnosti


Duálne{0}}bombardovanie:Prenos kinetickej energie zahusťuje filmy pri nízkych teplotách substrátu, čím chráni jemnú optiku a polymérne substráty.


Uzavretá-cyklická stabilizácia iónov:Integrované regulátory hmotnostného toku udržujú konštantný tok iónov počas dlhých výrobných sérií, čím zaisťujú konzistenciu šarží.


Modulárna vákuová komora:Konštrukcia z nehrdzavejúcej ocele 304L s elektro-lešteným vnútrom (Ra<= 0.2 um) and Conflat metal seals.


Automatické sekvenovanie:Cykly odčerpávania, usadzovania a odvzdušňovania riadené PLC{0}} minimalizujú prevádzkové odchýlky.

 

Konfigurácia vákuového systému


Hrubovacie čerpadlá:Suché korienky-bez oleja a rotačné lopatkové čerpadlá.


Vysoká vákuová pumpa:Magneticky levitované turbomolekulárne čerpadlo (1600 l/s).


Meradlá:Kombinované kapacitné manometre Pirani, studená katóda a Baratron.


Ventily:Pneumatické posúvače a rohové ventily s hardvérovým bezpečnostným blokovaním.

 

Odparovacie materiály a kompatibilita substrátu


Oxidy:Si02, Ta205, Ti02, Nb205, Al2O3


Fluoridy:MgF2, LaF3


Kovy:Au, Ag, Al, Ti, Cr


Substráty:Tavený oxid kremičitý, BK7, kremíkové doštičky, germánium, selenid zinku (ZnSe) a tepelne -odolný polyimid.

 

Aplikácie


Presná optika:Úzkopásmové filtre a DWDM povlaky vyžadujúce stabilné stredové vlnové dĺžky.


Laserová optika:Prahové reflektory s vysokým-poškodením-a anti{2}}reflexné vrstvy.


Polovodiče a fotonika:Dielektrické ochranné vrstvy, pasivácia a optické vlnovody.


Solárna energia:Modifikácia rozhrania priehľadného vodivého oxidu (TCO).

 

Prispôsobenie


Veľkosť komory:Škálovateľné priemery od 600 mm do 1200 mm.


Rozloženie zdroja:Až tri e{0}}lúčové pištole a viacero tepelných zdrojov na platformu.


In{0}}metrológia na mieste:Širokopásmové optické monitorovanie (BOM) alebo integrácia mikrováhy z kremenného kryštálu (QCM).


automatizácia:Rozhrania pre robotické nakladanie substrátu sú v súlade so štandardmi SEMI.

 

Kontrola kvality


Detekcia úniku:Testovanie héliovým hmotnostným spektrometrom na komoru (citlivosť<= 1 x 10^(-10) Pa*m^3/s).


Zdroj komponentov:Priemyselné značky Tier-1 (Inficon, MKS, Edwards, Siemens).


Továrenská akceptácia (FAT):72-hodinový nepretržitý chod nasucho a overenie náteru na meranie indexu lomu a rovnomernosti pred odoslaním.

 

Inštalácia a technická podpora


Dokumentácia:Kompletný balík v angličtine vrátane elektrických schém, schém P&ID a zdrojových kódov PLC.


Terénne služby:Inštalácia na kľúč, vákuová kalibrácia a ladenie receptúr aplikačnými inžiniermi.


Diaľková diagnostika:Zabezpečený modul VPN na riešenie problémov so softvérom a procesmi.

 

FAQ

 

Otázka: Ako pomoc iónov mení index lomu oxidu?

Odpoveď: Bombardovanie energetickými iónmi vytláča zachytené zvyškové plyny a zahusťuje mikroštruktúru, čím posúva index lomu filmov ako Ta2O5 a TiO2 bližšie k objemovým hodnotám.

Otázka: Aký je typický interval údržby pre zdroj iónov?

Odpoveď: Intervaly údržby sa pohybujú od 150 do 300 hodín spracovania v závislosti od procesných plynov a prevádzkovej hustoty výkonu.

Otázka: Dokáže tento systém riadiť procesy reaktívneho plynu?

A: Áno. Nezávislé regulátory hmotnostného prietoku vstrekujú reaktívne plyny (O2, N2) priamo do zón zdroja iónov a komory, prepojené bezpečnostnými tlakovými spínačmi.

 

Populárne Tagy: odparovacie zariadenia s pomocou iónového lúča, Čína výrobcovia zariadení na odparovanie s pomocou iónového lúča, dodávatelia, továreň, Tenké filmové vybavenie na ukladanie údajov

Zaslať požiadavku
Kontaktujte násak máte nejakú otázku

Môžete nás kontaktovať telefonicky, e-mailom alebo online formulárom nižšie. Náš špecialista vás bude čoskoro kontaktovať.

Kontaktujte teraz!